，是一种新式三维堆叠封装技能，主要是将多颗芯片(或许晶圆)笔直堆叠在一起，然后在内部打孔、导通并填充金属，完成多层芯片之间的电衔接。

　　比较于传统的引线衔接多芯片封装方法，TSV可以大大削减半导体规划中的引线运用量，下降工艺复杂度，然后提高速度、下降功耗、缩小体积，也是IBM、Intel等职业巨子竞相追逐的新技能。

　　尔必达从2004年开端从事TSV技能的研制，并获得了日本政府建议的新能源与工业技能开发安排(NEDO)的赞助。2009年，尔必达成功开发了业界第一款TSV DRAM芯片，运用八颗1Gb DDR3 SDRAM堆叠封装而来。

　　尔必达此番推出的样品是一种低功耗的8Gb DDR3 SDRAM内存颗粒，运用TSV技能将四颗2Gb DDR3 SDRAM封装在一块芯片内而来

　　尔必达称，这种新式颗粒用在SO-DIMM笔记本内存条上，可以下降20%的读写功耗和50%的待机功耗

　　关于一条2GB容量的笔记本内存来说，运用传统颗粒需求八颗芯片，换上TSV工艺的则仅需两颗，芯片所占空间会因而大幅削减70%