现在不必再期待了，依据IC insights公司的数据，看起来两个两个正在闪现的重要的IC制作技能都将推延，包含450mm晶圆和远紫外（EUV）光刻技能。

　　依据剖析，450mm晶圆厂量产或许要比预期的时刻晚两年，要比及2015年或2016年。而EUV将会错失16nm节点，因而要比及2015年的13nm节点才干引进。

　　另一个技能，依据硅穿孔（TSV）的3D器材还处于萌芽期并“过高估计”了，IC insight剖析师Trevor Yancey表明。关于TSV的3D器材的揄扬太多了，但在基板、测验和本钱方面，还有许多问题需求处理。

　　一些人以为TSV要进入干流使用还需求更长的时刻。换句话来说，能协助连续摩尔定律的三个技能——450mm，EUV和TSV——现在仍是议论多于实践。

　　450mm技能搬运的推延并不古怪。IC insights公司主席Bill McClean在一个活动上表明：“经济不景气让450mm技能变得无关紧要。”

　　依据报导，英特尔，台积电和三星正在别离推动45mm“原型”工厂在2012年的到来。这几家公司在寻觅在32nm节点上的45mm“演示”东西和22nm上的“导入东西”。有人以为450mm工厂不会呈现，他们以为研制费用太高了。没有人清楚谁会为东西和研制费用买单。

　　在前不久的半导体工业战略座谈会（ISS）上，有谣言说450mm技能现已推延了，听说要比及15nm节点才会有导入东西。有人估测，经济衰退，加上东西供货商的支撑缺乏，是导致推延的原因之一。

　　450mm量产工厂不会再2014年之前呈现，Yancey表明。他以为450mm更或许呈现的时刻是“2015年或2016年”。

　　Yancey一起信任量产工厂选用EUV也将迟于新的方针日期，预期是2013年的16nm逻辑节点。有或许EUV会支撑第二代的16nm器材，但“看起来这也不会产生”，他说道。

　　更有或许的状况是EUV在2015年的13nm逻辑节点上进入量产工厂，他表明。依据从前的考虑，还有功率源、光刻胶和掩膜等问题需求处理。

　　英特尔和Sematech公司的正告日前再一次响起。芯片制作协会日前正告资金短缺和掩膜检测问题将影响EUV光刻的施行。三星也宣布了这样的正告

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