（19）中华人民共和国国家知识产权局 （12）创造专利请求 （10）请求发布号 CN105206563A （43）请求发布日 2015.12.30 （21）请求号 CN9.1 （22）请求日 2015.08.20 （71）请求人 华进半导体封装先导技能研制中心有限公司 地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大路 200 号我国传感网世界立异园 D1 栋 （72）创造人 程万;伍恒;李恒甫;王宏杰;李祥 （74）专利署理组织 无锡市大为专利商标事务所(一般合伙) 署理人 殷红梅 （51）Int.CI H01L21/768; C25D7/12; C25D5/48; 权利要求说明书 说明书 幅图 （54）创造称号 TSV 电镀工艺 （57）摘要 本创造触及一种电镀工艺，尤其是一种 TSV 电镀工艺，详细的地说是一种能下降 CMP 成 本的电镀工艺，归于 TSV 的技能领域。依照本发 明供给的技能计划，一种 TSV 电镀工艺，所述 TSV 电镀工艺包含如下过程：a、供给待电镀填充 的晶圆，并对所述晶圆进行所需的 TSV 电镀填 充；b、对电镀填充后的晶圆，在所述晶圆上施加 与 TSV 电镀填充时相反的退镀电流，以下降电镀 填充晶圆上过电镀铜层的厚度。本创造在使用 TSV 电镀对晶圆进行电镀填充后，再施加与 TSV 电镀时电流方向相反的退镀电流，使用退镀电流 进行均匀退镀，下降过电镀铜层的厚度，即确保 晶圆的 TSV 填充意图，又能将过电镀铜层的厚度 尽可能减小，有用下降 CMP 本钱的意图，习惯范 围广，安全可靠。 法令状况 法令状况布告日 2015-12-30 2015-12-30 2016-01-27 2016-01-27 2018-12-07 法令状况信息 揭露 揭露 本质检查的收效 本质检查的收效 创造专利请求发布后的驳回 法令状况 揭露 揭露 本质检查的收效 本质检查的收效 创造专利请求发布后的驳回 权利要求说明书 TSV 电镀工艺的权利要求说明书内容是....请下载后检查 说明书 TSV 电镀工艺的说明书内容是....请下载后检查